de Figure 2 : La structure des bandes d’un semi-conducteur. Deux siècles d'énergie électrique - MAXICOURS de TP : Caractérisation de deux semi-conducteurs par mesure de Ces électrons se mettent alors en mouvement : c’est le courant électrique. fortement dépend de la nature de gap « semi-conducteur à gap direct ou à gap indirect » qui joue un rôle fondamentale dans l’interaction de semi-conducteur avec le rayonnement électromagnétique. I –Matériaux semi-conducteurs Phénomène de transport de charges : •courant de conduction créé sous l’action d’un champ électrique, •courant de diffusion créé par un gradient de concentration de porteurs. energie de gap d'un semi conducteur - ferme-du-coulomier.com Il s'agit des éléments suivants : GaP, GaAs, InP, CdSe, AlSb, InAs, … Semi-conducteur - Structure électronique des semi-conducteurs de Ces extrema représentent, dans un semi-conducteur à l'équilibre, des domaines énergétiques où la densité de porteurs type En physique des semi-conducteurs, on appelle gap la largeur de la bande interdite, laquelle est l'intervalle d'énergies situé entre l'état de plus basse énergie de la bande de conduction et l'état de plus haute énergie de la bande de valence. Dans un semi-conducteur, comme on l'a vu plus haut, la largeur de la bande interdite entre bande de valence et bande de conduction est faible (1,12 eV pour le silicium, 0,66 eV pour le germanium).